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车载电力电子器件测试
准确表征和分析电力电子器件
打造高效率的车载电力电子器件
汽车制造商通过推动动力总成和其他汽车子系统的电气化，使用大功率电子器件来实现电动交通愿景。 这些功率转换器必须能够在极其恶劣的环境中，克服大量机械振动和噪声以及大幅度温度变化等不利影响正常工作。 人们对减少碳排放越来越重视，同时电动汽车（EV）和混动汽车（HEV）也在迅速增多，导致对高效电力系统的需求日益高涨。业界需要采用新的半导体技术――如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术――来应对这些趋势。 在设计和测试阶段，更快的开关速度、更高的电压和更宽的温度范围对这些新技术的表征和建模提出了极大挑战。 了解是德科技先进的汽车解决方案如何帮助您交付更安全、性能更高的车载电力电子产品，从器件到系统应有尽有。
双脉冲测试
电动汽车对绝缘栅双极晶体管（IGBT）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体器件的需求越来越大。 准确表征这些器件需要同时进行静态测量和动态测量。 双脉冲测试法是业界动态表征功率器件的常用方法。
测试宽带隙（WBG）功率模块
Keysight PD1550A 先进动态功率器件分析仪/双脉冲测试仪能够对宽带隙功率模块进行可重复和可靠的测量，并且即将推出用于测试分立器件的选件。 这套现成的系统是一个完整的测量解决方案，可以为您提供快速可靠、值得信赖的结果，同时确保测试环境的安全，帮助您更快将产品推向市场。 其模块化硬件设计和软件更新确保您的研发（R&D）团队能在技术快速发展的趋势下始终进行准确测试。 立即了解 PD1550A 先进动态功率器件分析仪/双脉冲测试仪解决方案进行双脉冲测试的强大功能。
表征分立 WBG 器件
Keysight PD1500A 动态功率器件分析仪/双脉冲测试仪可对分立宽带隙半导体器件进行可重复和可靠的测量。 PD1500A 与 Keysight PD1550A 一样，不过外形更小，是一款现成的完整测量解决方案。 这个平台可以为您提供快速可靠、值得信赖的结果，同时确保测试环境的安全，从而推动产品快速上市。
了解是德科技双脉冲测试库的更多信息
评测汽车 WBG 功率器件的静态特性
为了充分发挥车载电力电子器件的性能，您需要为每种应用选择正确的功率半导体器件和元器件。 用于电路设计的 Keysight B1506A 功率器件分析仪是分析 WBG 器件静态特性的理想解决方案。
它能够评测各种工作条件下的所有相关器件参数，例如 IV 参数（击穿电压和导通电阻）、三端子场效应晶体管（FET）电容、栅极电荷和功率损耗。
开关电源设计
随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件等宽带隙半导体的出现，开关电源（SMPS）的设计也在不断发展。 由于传统的版图前期集成电路仿真程序（SPICE）已不足以满足设计这些电源的需求，因此您需要使用现代化的电路设计工具。 SPICE 没有考虑版图寄生效应所造成的电压峰值和电磁（EM）干扰问题。
我们需要一个添加了版图后期 EM 电路协同仿真的新工作流程来发现并解决这些问题。 Keysight PathWave 先进设计系统（ADS）和电力电子专业版（PEPro）软件能够在您进入原型设计阶段之前仿真版图寄生效应。
快速交付准确的 SPICE 模型
半导体行业面临一系列持续挑战，包括充分发挥产品性能并提高良率，加快产品上市速度以及降低生产成本。
最新版本的 PathWave 器件建模（IC-CAP）软件重新设计了用户界面，更便于使用，因此您可以更快提取更多模型。 它还支持 Python 3 和综合绘图功能，并可通过链接启动自定义安装模式。 是德科技还提供了适用于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、双极结型晶体管（BJT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、碳化硅（SIC）、氮化镓（GaN）的提取流程。
检测车载 MCU 和 FPGA 中的异常波形
电动汽车上的关键功能使用了很多微控制器单元（MCU）和现场可编程门阵列（FPGA）单元。 它们出现任何故障都可能危及生命，给业务造成不良影响，例如大规模产品召回。 Keysight CX3300A 器件电流波形分析仪和异常波形分析软件可以快速检测并分析 MCU 和 FPGA 中的异常信号，从而迅速纠正硬件、固件和软件中的缺陷。
您现在能以八五折优惠价格购买 CX3300 应用软件套件，以便在这款功能强大的波形分析仪上使用。
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车载电力电子器件常见问题解答
什么是车载电力电子器件？
车载电力电子器件指二极管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、MOSFET 以及新出现的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等器件。
汽车中使用了哪些车载功率器件？
车载功率器件负责控制并转换各种汽车应用中所使用的电力，这些应用包括车身电子系统、信息娱乐和远程信息处理系统、安全保障、底盘，以及与日俱增的电动汽车（EV）动力总成。
什么是宽带隙器件？
宽带隙（WBG）器件是基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料的功率半导体器件，主要在现代化功率转换器设计中使用。
为什么 GaN 和 SiC WBG 器件越来越受欢迎？
GaN 和 SiC WBG 半导体在速度（比之前的设计快 10 倍至 100 倍）、电压和热工操作方面实现了重大飞跃。 这种更快的速度在提高效率的同时降低了尺寸和成本。 这些优势使得车载电源转换器设计人员能够将更强大的功率处理能力集成到更加小巧轻便的封装中。
WBG 测试中的动态和静态表征有何区别？
动态表征指的是与时间相关的波形表征，在器件切换状态时――从开启到关闭（或从关闭到开启）提取参数，例如开启、关闭和切换。 静态表征基本上指的是与时间无关的 I-V 和 C-V 表征。
I-V 特征包括 Vth、Vge(th)、Id-Vgs、Ic-Vge、Id-Vds、Ic-Vce、Rds-on、Vce(sat)、Igss、Iges、BVds 和 BVces。
C-V 特征则包括 Ciss、Coss、Crss、Rg、Cies、Coes 和 Cres 等。
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