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下面是典型 HeatWave 应用的图解。详细信息请参见 HeatWave 技术文章和 HeatWave 案例研究。
三维 IC 中的温度，可分辨晶体管和 TSV 细节
表面高度和颜色表示顶部裸片通道层中的温度。注意有源器件处的温度峰值，以及焊盘和 TSV 处的温度低谷。峰值和低谷的长度与这些设计特性的温度成比例。
放大视图。箭头 A 指示一行具有预期平滑温度特征曲线的晶体管，中间的温度较高。箭头 B 指示一行更长的、没有预期平滑温度特征曲线的晶体管。这个结果是由 TSV 的散热效应（箭头 C 指示）导致的。
蜂窝电话中的射频天线开关芯片的温度
表面高度和颜色表示射频天线开关中活动通道的温度特征曲线。
整个 HEMT（高电子迁移率晶体管）功率放大器的温度
四组功率放大器的温度特征曲线（每组均包括若干个单独的选通）很容易理解。中间的组像每组中的中间选通一样，温度较高。
通道包括一个导电平面，称为二维电子气（2DEG），其迁移率随着温度上升而下降。因此，最重要的是获得如此处所示的精确的垂直温度特征曲线。
双层三维 IC 测试芯片的 TSV 阵列中的热传输详图。热源位于 TSV 阵列之上。
- 颜色指示通过每个 TSV 的热流幅度。
- 在此热流幅度图表面产生的热量通过中间介质向下流入 TSV 阵列。在 TSV 中不产生任何热量。
- 远离阵列中心的 TSV 具有明显不对称的热流温度曲线。
三层三维 IC 中间的信号处理层的温度
由强大的时钟缓冲器产生的温度峰值占据绝大多数。
通过 TSV 导线和行的热传输效应显而易见。
由各版图特性（包括 TSV）导致的温度变化以及热源对临近层影响的更详细视图。
混合信号 IC 中的温度
表面高度和颜色表示温度。功率晶体管在背面会产生大温度峰值。数字逻辑模块在中央区域产生晶体管级温度峰值。
HeatWave 概况演示（大约 3 分钟）
热效应正成为 IC 设计人员面临的更大挑战。电路仿真软件可以考虑温度效应，但通常假定此变量为常量。通过使用 HeatWave 执行精确的电热分析，您现在可以在电路仿真中真正考虑到温度效应。
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随时间变化的温度风险演示（大约 1 分钟）
当功率晶体管开启和关断时，随时间变化的热点可能会影响到灵敏的模拟电路。HeatWave 提供瞬态电热分析，使您可以在 IC 设计的初期阶段检测可能发生的热问题。
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假设温度恒定不变的风险演示（大约 1 分钟）
在电路仿真过程中假定 IC 上的温度恒定不变，有可能产生不正确的仿真结果。借助 HeatWave，您现在可以分析器件之间的温度变化对 IC 性能有何影响。
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温度支持您的仿真软件演示（大约1 分钟）
随时间变化的温度可能会影响 IC 性能，如果建模不正确，会导致电路仿真错误，IC 重新制造。HeatWave 提供瞬态电热分析，使您可以在 IC 设计的初期阶段检测可能发生的热问题。
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