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角点和目标建模提取套件
角点建模提取套件
IC-CAP 角点建模提取套件使建模工程师能够根据过程控制测量（PCM）统计信息生成 CMOS 半导体工艺的角点模型库，并根据测量结果生成芯片提取模型。从测量数据中提取的模型描述的是一组特定器件的特性，而角点模型与之不同，它描述的是统计过程发生变化时的模型特性。N 型和 P 型 CMOS 器件的角点模型相结合，可以生成一个仿真器程序库文件，工程师使用该文件可以仿真最坏情况的电路条件。
角点建模提取套件的主要特点
- 高效、准确地提取 CMOS 器件的统计角点模型
- 通过 excel 电子表格进行简单的角点项目设置和定制；用户可以使用预定义的典型 CMOS 目标（例如 Idmax、Idoff、Vth 等），也可以添加/定制其他目标
- 轻松导入从芯片测量数据中提取的模型库，例如通过传统 CMOS 提取方法（例如 BSIM4、PSP 或 HiSIM 提取套件）获得的输出模型库
- 专用显示窗口提供目标图形和参数调谐功能
- 自动创建最终的仿真器角点库（包括 N 型和 P 型角点器件）
- 功能强大的仿真器套件可为所有支持的仿真器运行自动化仿真，并且能识别警告/错误
- 自动生成 HTML 报告
- 为是德科技先进设计系统（ADS）、Synopsys HSPICE、Cadence Spectre 和 Mentor Graphics ELDO 提供仿真支持
概述
角点建模套件配有专用的用户界面（UI）和工具，可帮助工程师完成以下提取和验证步骤：
- 通过定义每个角点器件的可用 PCM 目标及其统计信息（平均值、最小值和最大值）创建新项目。
- 选择用于角点建模调谐的仿真器、库设置和参数。这个工具会自动创建一个原始库，在调谐过程中使用。
- 执行角点建模，首先将典型模型参数居中以匹配典型器件特性。然后调谐参数匹配角点特性（参见下图中专用的调谐 UI 窗口）。
- 自动为一个或多个仿真器生成最终角点模型库，并使用仿真器套件运行验证测试。该套件将使用提取出的角点库运行用户可定制的仿真，并在仿真发生错误或报警时予以警示。
- 最后创建 HTML 报告，用于文档记录。
目标建模提取套件
IC-CAP 目标建模提取套件支持工程师根据过程控制监视器（PCM）目标数据高效提取或重新复位 CMOS 模型。传统的 CMOS 建模使用大量 I-V 和 C-V 数据建立各种器件几何结构。这些数据通常在过程稳定且成熟时通过长时间测量获得。为了在设计周期中尽早提取出准确的 CMOS 模型，目标建模采用了过程控制监视器（PCM）数据，这些数据通常是单个偏置点的快速测量结果，在过程开发的早期阶段可以获得。
目标建模套件的主要特点
- 专为此应用软件设计的专用用户界面
- 从 Excel 电子表格导入 PCM 数据和相关的偏置信息
- 导入并显示 PCM 数据的统计信息（均值和扩展值）
- 直接支持 BSIM3、BSIM4、PSP、HiSIM2 和 BSIMSOI4 模型
- 直接链接到仿真器，包括 ADS、Spectre 和 HSPICE
- 显示、调谐和优化用户定义的定标和 I-V 图
- 自动生成可自定义的 HTML 报告
- 开放式体系结构支持导入传统的 I-V 迹线并与 PCM 数据绘图结合使用
概述
该提取套件包含一个专用的 UI 主窗口，用于管理 PCM 数据导入以及创建定标图和 I-V 图。器件信息和 PCM 数据可直接从 excel 电子表格导入。便捷的向导程序协助您定义器件的子集并推导出 PCM 数据定标图（例如 Ion 与 L、Ioff 与 W 等）。
专用的用户界面支持您将图形组合成多种绘图。强大的 IC-CAP 绘图优化器工具使您能够方便地选择模型参数，并调谐和优化定标图和 I-V 图。
强大的仿真器与先进设计系统（ADS）链接，可在仿真多个器件时实现实时调谐。
了解关于 IC-CAP 器件建模软件的更多信息。