IC-CAP 电力电子建模

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目前，随着电源模块日益小型化，开关频率不断提高，以及新宽带隙（WBG）技术支持更快的边沿开关速率，我们发现，电力电子设计行业对精准器件模型的需求也日益高涨。为此，我们针对以下三种技术和器件结构提供了先进的模型：

GaN ASM-HEMT 模型，获得 CMC 的采用

Gallium Nitride (GaN) Advanced SPICE Model for High Electron Mobility Transistors (ASM-HEMT) Model, adopted by the Compact Model Coalition (CMC).

是德科技用于 Si 和 SiC Power-MOSFET 器件的模型

Keysight model for Silicone (Si) and Silicone Carbide (SiC) Power-MOSFET devices

是德科技用于 IGBT 器件的模型

Keysight model for insulated-gate bipolar transistor (IGBT) devices

所有这 3 种模型都已经在 Verilog-A 中实现，并可以用于在先进设计系统（ADS）2017 中进行仿真。在电力电子设计实验室中，客户经常无法得到器件工艺参数，为此，是德科技对 Si/SiC 和 IGBT 模型进行了专门配置。

用户界面反映了建模工程师必须遵循的主要步骤。

	设置项目参数、模型标记和器件常数。
	从高度结构化的目录加载数据。
	提取模型参数。
	验证模型准确性。
	导出器件模型参数。

使用精准的新模型，您可以自信地以非常优异的准确性捕获到器件特性。

Power Electronics Modeling

图 1. 模型化数据（实线）完美捕获了测量数据（方形游标）。左侧显示了各种建模步骤。右侧是各种参数，

有两类客户可以利用这些提取功能：电路设计人员和建模工程师。针对设计人员，我们提供了用于器件建模的 W8598BP/BT 电力电子模型生成器（PEMG）软件套件。设计人员可以利用提取流程提取全部模型类型的参数：GaN HEMT、Si/SiC PowerMOS 和 IGBT。对于希望灵活定制流程的建模工程师，我们提供了三种 IC-CAP 附件套件。下表中概括介绍了这些产品。

Product Model Number	Description
W7398B	The W7398B Power Electronics Model Generator (PEMG) Software bundle for device modeling is an advanced device modeling software tailored towards the model extraction requirements of discrete semiconductor power electronic devices..
W7016E	The W7016E IC-CAP Power Electronics PowerMOS SiC Extraction Package Add-on software package enables the extraction of parameters of circuit compact models for Si and SiC PowerMOS devices.
W7017E	The W7017E IC-CAP Power Electronics IGBT Extraction Package Add-on package enables the extraction of parameters of circuit compact models for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) devices.
W7018E	The W7018E IC-CAP Power Electronics GaN Extraction Package Add-on software package enables the extraction of parameters of circuit compact models for gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMT) devices.