如何测试宽带隙半导体

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利用双脉冲测试表征 WBG 半导体

对于氮化镓（GaN）等宽带隙（WGB）半导体材料，您需要测试其静态和动态参数，以避免其在开关瞬间产生损耗。 双脉冲测试（DPT）系统可以根据 JEDEC 标准对 WBG半导体进行动态测试，包括测试导通、关断、开关切换、反向恢复和栅极电荷。

双脉冲测试（DPT）系统应包含测量仪器、探头、安全系统、自动控制软件、自动校准例程、测试夹具，以及用于各种器件配置的测试板。 另外，还需要负载电感器。 当您设置好设备后，应在软件的硬件配置菜单中输入电路板参数，并指定适当的外部电感器及其电感值。 然后是设置 R²GC 电流传感器。 最后，选择器件，对测试进行配置。

通过双脉冲测试表征 WBG 半导体

双脉冲测试解决方案

采用半自动校准法和测量技术实施双脉冲测试（DPT）。 Keysight PD1500A 动态功率器件分析仪/双脉冲测试仪是一款综合测试解决方案，它能依照 JEDEC 规范，对 SiC、GaN 等宽带隙（WBG）功率半导体的动态特征进行可靠且可重复的测量。 它采用的测量技术包括：探头补偿、偏置调整、偏移校正和共模噪声抑制。
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